《半導體》IET | 全台上櫃股票資訊網

2020年8月18日—IET-KY(4971)(英特磊)宣布與韓國IVWorks公司合作，共同開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵(GaN)磊晶片，英特磊總經理高永中表示，希望 ...

IET-KY(4971)[1](英特磊)宣布與韓國IVWorks公司合作，共同開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵(GaN)磊晶片，英特磊總經理高永中表示，希望透過這次的合作案，聯手開發MBE製造的GaN磊晶產品全球業務，應用於RF(射頻)和電力零組件市場。

5G及物聯網時代來臨，由於氮化鎵(GaN)具有高頻優勢，被看好將是會被大量應用的新一代半導體材料，國內半導體及砷化鎵廠積極跨足布局，繼日前中美晶(5483)[2]宣布入股宏捷科(8086)[3]，IET-KY亦在今天宣布與IVWorks公司合作，共同開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵(GaN)磊晶片。

IVWorks運用混合式MBE技術(Hybrid-MBE)，生產高質量的GaN磊晶片；所謂混合式MBE磊晶就是利用氨和電漿搭配的氮源進行磊晶，以最佳化質量和生長速率，該公司開發機器學習的人工智能(AI)磊晶監控系統“Domm”，透過深度學習算法來檢測和分析反射高能電子衍射(RHEED)圖像，使該系統可以在MBE磊晶過程中，即時監控原子層級的晶體生長表面，運用學習數據集來建立預測模型，並以該預測模型應用於磊晶片質量，提高生產良率；該公司目前使用三組MBE系統來生產100mm至200mm的GaN磊晶片。

英特磊則是運用擁有多項美國專利的即時生產監控系統，以分子束磊晶片生產機台(MBE)成長磊晶片於砷化鎵、磷化銦、銻化鎵基板，產品應用於電子及光電產業，高永中表示，兩家公司自2018年起在GaN材料和磊晶技術方面即有密切合作，技術和行銷聯盟的框架於2019年形成，利用英特磊在MBE的量產經驗模式，以及硬體設備自主改造升級的實力，可迅速將GaN磊晶片導入與IVWorks合作的產品組合，他強調，此次合作將結合IVWorks的先進MBE GaN長晶和AI技術，以及英特磊的大規模MBE磊晶生產和硬體設備自主經驗與能力，共同開發MBE製造的GaN磊晶產品全球業務，應用於RF和電力零組件市場。

IVWorks的首席執行長Young-Kyun Noh則表示，此次與MBE磊晶生產專家英特磊合作，公司將加快使用革命性的AI製造系統向全球半導體行業提供高質量GaN磊晶...