《DJ在線》化合物半導體搶進氮化鎵,上下游整合成關鍵 | 全台上櫃股票資訊網
2020年8月7日—除了宏捷科,穩懋(3105)、環宇-KY(4991)等化合物晶圓代工廠也持續布局氮化鎵領域。穩懋布局氮化鎵主要也以GaNonSiC為主,由於市場還未 ...
MoneyDJ新聞 2020-08-07 11:30:14 記者 張以忠 報導
中美晶(5483)宣布參與宏捷科(8086)私募現增案,將持有宏捷科22.53%股權成為大股東,共同發展新世代半導體材料GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵),搶攻RF(射頻)以及電力電子市場大餅,此舉也象徵化合物晶圓代工廠布局GaN on SiC進入檯面化、白熱化階段,未來相關廠商在上下游結盟、技術合作、組建生態體系趨勢可能會更加積極。氮化鎵為明日之星,主力應用在RF、電力電子
GaN on SiC其實早已在軍用、大型電力電子建設等領域有所應用,其為繼矽、砷化鎵之後的第三代半導體材料,特別適合高頻、高壓、高溫運作環境中展現優異的功率轉換效率(power conversion efficiency),可以簡單把它想為,假設給予裝置設備一瓦的電力,轉換後若變成0.5瓦,代表功率轉換效率是50%,而GaN on SiC則較其他材料擁有更高的功率轉換效率,可達到省電、減少耗能的表現。GaN on SiC之所以被重視,是因為現在到未來,它在RF以及電力電子市場將有非常大的應用空間,RF方面,最直接相關的就是高頻的5G基地台建置增加,而5G基地台因高頻關係,電耗較4G基地台高上數倍,而GaN on SiC減少能耗的特性將能解決這項問題;電力電子方面,未來包括電動樁、大型資料中心的電力供應系統、UPS(不斷電系統)等都是潛力市場所在。
GaN on SiC成本仍高,組建完整供應鏈成關鍵
目前GaN on SiC之所以還未能大規模應用在民用市場,上游基板(Substrate)材料取得困難、以至於成本無法下降為主要原因。目前GaN on SiC基板主要掌握在美國Gree手上,Gree基板多為自用,因此GaN on SiC材料取得不易,進而使成本居高不下。業內人士指出,中美晶一直想跨入GaN on SiC材料,但由於在GaN on SiC是新進者,苦無晶圓代工廠能夠認證產品品質,包括產品在高頻、高壓、高溫的耐受力等,等於是有技術但缺乏record(實績),進而無法有效開...
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