矽基氮化鎵高功率與高頻技術 | 全台上櫃股票資訊網
氮化鎵材料除了擁有寬能隙（Eg=3.42eV）特性之外,其與n-型氮化鋁鎵的異質結構（AlGaN／GaNHeterostructure）因為極化差異在介面生成的二維電子氣（Two ...
氮化鎵材料除了擁有寬能隙（Eg=3.42 eV）特性之外, 其與n-型氮化鋁鎵的異質結構（AlGaN／GaN Heterostructure）因為極化差異在介面生成的二維電子氣（Two ...
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甚麼是氮化鎵（GaN）？ | 全台上櫃股票資訊網
什麼是矽基氮化鎵？ ... 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬能隙半導體材料。 由於具有更高的擊穿強度、更快的開關，更高的熱導率和更低的 ... Read More
為什麼使用氮化鎵（GaN）元件？ | 全台上櫃股票資訊網
氮化鎵電晶體的開關速度不僅比矽基MOSFET和IGBT元件快很多，而且尺寸也要小得多- 大約小5至10倍。 這使能很多應用，包括機器人技術和醫療電子產品，以及 ... Read More
氮化鎵（GaN）何去何從？ | 全台上櫃股票資訊網
氮化鎵基功率電晶體和積體電路的最初應用是利用矽基氮化鎵電晶體具備比MOSFET快約10倍和比IGBT快100倍的優勢，例如4G / LTE基站的射頻波峰追蹤和面向全 ... Read More
〈觀察〉挾矽製程優勢搶攻氮化鎵領域台廠佈局效益明年起顯現 ... | 全台上櫃股票資訊網
2020年7月26日 — 現行的氮化鎵功率元件，以GaN-on-Si(矽基氮化鎵)、GaN-on-SiC(碳化矽基氮化鎵)2 種晶圓為主，雖然GaN-on-SiC 性能相對較佳，但價格大幅高 ... Read More
〈觀察〉第三代半導體材料崛起放量生產關鍵在上游材料端 | 全台上櫃股票資訊網
2020年8月22日 — ... 矽基氮化鎵) 由於製程難度較高，目前只做到4 吋，SiC(碳化矽) 產能則在 ... GaN on Si 製程是要將氮化鎵磊晶長在矽晶圓基板上，但兩者晶格不 ... Read More
台積電想再稱霸20年就得靠這種新材料！ 14家台廠已布局散戶 ... | 全台上櫃股票資訊網
2020年12月2日 — 第三代半導體材料的碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN），與第一代半導體材料的矽（Si）、第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs）相比，有著尺寸小、 ... Read More
嘉晶能同時生產碳化矽、氮化鎵，全台只有它做得到 | 全台上櫃股票資訊網
2020年12月15日 — 嘉晶是台灣唯一能量產4吋、6吋碳化矽磊晶及6吋氮化鎵磊晶的公司，品質也獲得國際IDM大廠認可，除了專利技術，他們如何區隔出與同業的差異 ... Read More
矽基氮化鎵高功率與高頻技術 | 全台上櫃股票資訊網
氮化鎵材料除了擁有寬能隙（Eg=3.42 eV）特性之外, 其與n-型氮化鋁鎵的異質結構（AlGaN／GaN Heterostructure）因為極化差異在介面生成的二維電子氣（Two ... Read More
贏家就是下一個台積電！「第三代半導體」台灣科技業下一場 ... | 全台上櫃股票資訊網
2021年3月22日 — 第1，是將氮化鎵材料用來製作5G、高頻通訊的材料（簡稱RF GaN）。 ... 也投資晶成，目前晶成也有能力提供矽基氮化鎵功率半導體製造服務。 Read More
半導體材料邁入第三代：「氮化鎵」具備寬頻特性，是5G 時代 ... | 全台上櫃股票資訊網
2020年1月10日 — 半導體材料以「矽」為主，然而矽基半導體具有功耗高、切換頻率低等缺點，但5G 產品又有高功耗、高頻等特性，為了提升5G 效能，「氮化鎵」 ... Read More
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【環宇通訊半導體控股股份有限公司】股票代號:4991
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